통합 다운 컨버터 및 신디사이저 IC, ST 공정 기술을 활용

세계 선도적인 종합 반도체사인 ST마이크로일렉트로닉스는 무선 인프라 장비 제조업체가 보다 유연하고 콤팩트한 차세대 모바일 네트워크 기지국을 보다 낮은 비용으로 구현할 수 있도록 지원하는 고집적 소자인 STW82100B를 발표했다. STW82100B 시리즈는 또한 RF (radio-frequency) 계측, 일반적인 무선 인프라 애플리케이션 등의 장비에서 사용될 수 있다.

광대역 서비스에 대한 수요 증가로 모바일 통신 산업이 그 어느 때보다 급속히 발전하고 있다. 모바일 네트워크 사업자들은 14.4Mbps 이상의 데이터 전송속도를 제공하는 보다 빠른 서비스 (HSPA/HSPA+)를 신속히 출시하고 있다. 보다 빠른 속도의 차세대 표준인 3GPP-LTE에 대한 작업도 한층 빨리 진행되고 있다. 인포네틱스 리서치 (Infonetics Research)는 다양한 형태의 기지국이 필요한 LTE 인프라 시장이 2014년까지 110억 달러 이상의 규모로 성장할 것으로 예상하고 있다.

ST의 새로운 STW82100B 시리즈는 RF 주파수 신디사이저, 다운-컨버터 등과 같은 주요 기지국 기능들을 단일 소자에 통합함으로써, 장비 공급업체가 요구하는 고성능 및 저비용 요건을 충족한다. LTE와 같은 새로운 표준에 대해 제품의 안정성 또한 이미 입증되었다. ST의 고품질 BiCMOS 공정 기술이 적용됨으로써, 높은 수준의 집적도를 실현함으로써 주요 모든 성능 요건을 충족한다. 이러한 첨단 기술 공정으로 구현된 ST의 칩은 주요 기지국 제조업체들을 통해 이미 폭넓게 사용되고 있다.

ST의 네트워킹 및 스토리지 사업부의 마케팅 이사인 플라비오 베네티 (Flavio Benetti)는 “STW82100B는 높은 기술을 요하는 RF 애플리케이션에서 실리콘-게르마늄 (SiGe, silicon-germanium) 통합이 효과적임을 보여주며, ST의 독자적인 BiCMOS 공정 기술의 잠재력을 다시 한번 입증하였다.”면서 “현재 ST는 최대 230GHz FT / 280GHz FMAX까지 동작하는 고속 트랜지스터를 제공하는 BiCMOS 공정 옵션을 통해 광통신 애플리케이션 등과 같은 다양한 시장에서도 성공적으로 제품을 공급하고 있다.”고 말했다.

STW82100B 시리즈 (제품명 STW82100B, STW82101B, STW82102B, STW82103B)는 기지국과 다양한 무선 애플리케이션에 세계적으로 널리 사용되고 있는 ST의 검증된 주파수 신디사이저 IC (STW81102)에 기반하고 있다. STW81102는 다양한 동작 모드를 지원함으로써 설계자들에게 유연성을 제공한다. 수신기 영역에서 사용될 경우, 각 안테나 경로에 대한 전용 LO (Local Oscillator) 주파수 생성기를 제공할 수 있도록 설정될 수 있으며, 또는 보다 전통적인 안테나-다이버시티 (antenna-diversity) 구조에서도 사용될 수 있다. 트랜스미터 루프백 회로의 경우, 설계자들은 이 제품의 탁월한 이득 평탄도, 그리고 최적의 신호 수준 보정을 위해 외부 PIN 다이오드를 구동할 수 있는 통합 10비트 DAC를 활용할 수 있다.

【김인숙 기자 news7@stv.or.kr】

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